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TrendForce:2016年Q2全球行动式内存总产值季增长17.2%

发布时间:20-01-02

Tren♡dForce集邦科技旗下存储研究品≥牌DRAMeXchange(全球半导体观察)调查显示,第二季华为』、OPPO与vivo▂▃▅▆█领军,带动中国品牌▷智能手机出货持续增温,加上行动式内存供给位元的增加,使得第二季全球行动式内存总产值季增长λ17.2%,三大DRAM厂同◐步受惠。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,时序进入第三季出货旺季,由于新一代iPhone⿺与三星旗舰机N⇔ote 7于此时备货生产,且中国品牌手机出货未见停歇,让行动式内存的需求同步大增。D∟RAMeXchange预估第三季行动式内存价格季跌幅仅3%,若厂商销售规划得宜,↕应能改善全球DRAM产业的获利结构。

三大厂将持续提高ⓛ行动式内存生产占比

第∏二季行动式内存营收市场份额中,三卍大DRAM厂占比来到98ↂ%,排名第四☼的南Ⅱ亚科仅З有1.1%。И此外…,℅∮第二季行б动式内存营收占总D々RAM营收的43.2Ξ%,较第一季更加攀升。DRAMeXchange预估第三季由于中国智能手机维持强劲出货力道,将带动行动式内存营收占总DRAM营收↔持续扩大。

获利表现仍取决于各家LPDDR4出货渗透率及20纳米转α进进度

第二季三星无疑仍是行动式内存的领头羊。由于2❤☜0纳米良率稳*定、产品组成多元、且拥有最高的LPDDR4市场份额,使三星不论在市场份额或获利表现都持续领先。吴雅婷指出,2015年起三星就持续将产能转向行动式内存领域,并大幅减低标准型内存的出货比重,因此三星DRAM整体获利表现一直远高过竞争▲厂商。

SK海力士今年重点在制程转进ξ至21纳米,有助于LPDDR4的普及。虽然第二季21纳米行动式ↅ内存产品仍未大幅量产,但在市场需求增加趋势下,DR〦AMeXchange预估第三季21Π纳米的行动式内存出货数↕量将增加,带动SK海力士行动式内存营收出现较大幅度成长。

美光Ⅷ集团也正处于转进20纳米的关键时刻。吴雅☆婷表示,随着新一代iPhone进入备货期,∞无论是美光广岛厂或华亚科,LPDDR4投片都开始大幅提升,有助于未来美光集团在行动式内存〗的营收比重扩大,并改善目前集团在DRAM产品的整体获利л能力。

南亚科现在行动式内存多↘以LPDDR2为主,由≡于未能扩大量产且LPDDR2∏价格于第二季走跌,让南亚科第二季营收市场份额下滑1︶︷︸.1%,但随着新厂产能于明年开出∩,南亚科将试产20⿷纳米 LPDDR3ё-产品,成本结构可望大幅改善。Ф

第二季华邦电子的市场份额微幅下跌至0.8%,营收则因客制化产品与⺌ASIC产品耕耘有成,季┙成长1.7%。华邦新制程38纳米有机会于明年导入量产,将优先利用在利基型内存与行动式内存上。