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TrendForce:2016年Q2全球行动式内存总产值季增长17.2%

发布时间:20-01-02

TrendForce集邦科技旗下í存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)Ⅷ调查显示,第二季华☞为、OPPO与vivo领军,带动中国品牌智能手机出货持续增温,加上行动式内存供给位元的增加,使得第二季全球行动式内存总产值季增长17.2%,三大DRAM厂同步受惠。

DRAMeXcθhange研究协理☼吴雅婷表示,时序进入第三季出货旺季,由于新一代iPhone与三星旗舰机Note 7于此时备货生产,且中国品牌手机出货未见停歇,让行╯╰动式内存的需求同╨步大增。DRAMeXchange预估第三季行动式内存价格季跌幅仅3%,若厂商销∝售规°゜划得宜,应能改善全球D〾RAM♣产业的获利结构。

三大厂将持续提▒高行动︰式内存生产占比

第二季行动式内存营收市场份额中,三大DRAM厂◙占比┌来到╣98%,排名第四的南亚科仅有1.1%。此外,第二季行动式内≠存๑营收占总DRAM营收的43.2%,较第一季更加攀…升。DRAMeXcⅢhange预估∕第三季由于中国智能手机维持强劲┒出货力道⊿,将带动行动式内●·存营收Ⅺ占总DRAM营收持续扩大。

获利表现仍取决于各∞家LPDDR4出货渗透率及20纳▉米转进进度

第二季三星无疑仍是行动式内存的领头羊。由于20纳米良率稳定、产品组成多元、且拥有最高的LPDDR4市场ↇ份额,使三星不论在市场·份额或获利Ъ表现都持续领先。吴雅婷指出,2015年起三星就持续将产能转向行动式内存领域,并大幅减低标准型内存的╩出货比重,因此三星DRAM整体获利表现۩..一直远高过竞争厂商。

SK海力士今年重点在制程转进至21纳米,有℡助于LPDDR4的普及。虽然第ц二季21纳米行动式内存产品仍未大幅量产λ,但在市场需求增加趋势下,D℉R¨AMЖeXchange预估第δ三&╱╲季21纳米的行动式内存出货数量将增加,带动SK海力士行动式内存营收出现较大幅度成长。

美л光集团也正处于转进20纳米的关键时刻。吴雅婷表示,随着新一代iPh⊙one进入备货期,无论是美光广岛厂或华亚科,LPDDR4投片都开⊿始大幅提升,有助于未来美光集团在行动式内存的营收比重扩大,并改善目前集团在DRAぷM产品的整体获利能力。

南亚科现在行动式内存多以LPDD∶R2为主,由于未能扩大量产且LPDDR2价格于〩第二季走跌,让南亚科第二季营收市场份额下滑1.1%,但随着新厂产能于明年开出,南亚科将试产20纳米 LPDDR3产品,成本结构可望大幅☑改善。

第二季华邦电子的市场份额微幅下跌至0.8%,营收则因客制化产品与ASIC产品耕耘有成,季∪成长1.7%。华邦新制程38纳米有机会于明年导入量产,将优先利用在利基型内存与行™动式内存上。